L'IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor), est composé d'un MOS (isoled gate field effect transistor) et d'un BJT (transistor bipolaire). Il s'agit d'un dispositif semi-conducteur de puissance alimenté en tension. L'IGBT peut être un seul dispositif discret ou un module, chaque type ayant sa propre gamme d'applications. Dans l'industrie, il est utilisé dans le contrôle du trafic, la conversion de puissance, les moteurs industriels, l'alimentation sans interruption UPS, les équipements d'énergie éolienne et solaire, les convertisseurs de fréquence, etc. Dans l'électronique grand public, il est utilisé dans les appareils électroménagers, les piles de recharge, les véhicules électriques. , outils électriques, etc.