Le carbure de silicium SiC est un matériau semi-conducteur composé composé de silicium Si et de carbone C, généralement de type cristallin 4H-SiC. Son intensité de champ de claquage d'isolation est 10 fois supérieure à celle du Si, son écart énergétique est 3 fois supérieur à celui du Si, sa conductivité thermique est 3 fois supérieure à celle du Si et sa vitesse de dérive à saturation est 2 fois supérieure à celle du Si. Il s’agit d’un matériau pour dispositifs électroniques de puissance très supérieur au Si.